數年前，鐵幕橫亙在東、西方之間。現在，硅幕（Silicon Curtain）正在落下。

國產半導體工業可以說已到了危及存亡之刻，該如何突圍？一位從業20年的半導體老兵講出了他說看見的行業實情及思考。

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美國全力圍剿中國光刻機

2023年1月28日，諸多企業開工大吉的喜悅被攪黃了。美國、荷蘭與日本在經過數月的談判后，最終就共同限制向中國出口半導體設備達成共識，它們將聯手阻止中國獲取發展先進芯片、量子計算、人工智能等所需的技術。

在繼續禁絕向中國企業出售EUV光刻機的基礎上，新的聯盟擴大了管制范圍。媒體援引消息人士的話稱，中國發展先進半導體所需的技術和設備，都會被加入到禁售清單中，其中就包括DUV浸潤式光刻機。

荷蘭阿斯麥（ASML）、日本尼康（Nikon）和東京威力科創（TEL）等半導體設備巨頭的對華出口，將被迫執行新的標準。

自2022年10月發布《針對先進計算和半導體制造的管制措施》后，美國就積極地游說日本、歐洲等盟友，聯手從設備、技術、人才等環節，對中國進行全面封堵。新聯盟形成后，美國的管制措施有可能會變成整個聯盟的法則。

按照三方會談透露出來的內容，日本、荷蘭各自在國內完成立法后，新的協議才會生效，這可能需要幾個月的時間。歐盟官員對這次的談判結果給予了支持。中國專家言之鑿鑿三國不會結盟的說法，還可以成立一段時間。

鑒于此事可能產生的后果，即便協議生效后，各方也不會公布管制措施的內容，其重心將落在具體的執行層面。日本政府有官員預言，這樣的合作百分之百會遭到報復，在當地經營的日本企業會因此遭受沖擊。

中國半導體供應的現實擊穿了曾經的虛幻，這讓中國智能汽車的發展面臨新的選擇。在智能化的道路上，自動駕駛的前景會變得越來越暗淡。眾多的中國自動駕駛企業及其整車制造商，即便有能力設計出高端芯片，他們卻繞不開制造環節的短板。中國大陸的代工廠不具備臺積電的能力，無法制造出先進制程的芯片。能為這些企業代工的臺積電、三星等受制于美國的管制措施，會變得更謹慎。壁仞科技的遭遇，是事情的一個側面。

隨著時間的推移，英偉達A100等算力芯片的停供已經進入倒計時。雖然英偉達推出了A800作為替代品，但無法滿足自動駕駛進階的需求。進入到L4級自動駕駛后，中國市場的算力芯片需求與供應會出現明顯的脫節。中國本土的算力芯片制造商，在美國的管制措施解除之前，可以施展的空間已經非常有限。對于中國自動駕駛而言，L2及L2+級已經是最現實的市場了。

中國自動駕駛所面臨的局面，只是各方圍剿中國半導體的一個小縮影。數年前，鐵幕橫亙在東、西方之間。現在，硅幕（Silicon Curtain）正在落下。

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我國光刻機發展的怎么樣了？

光刻機一直是半導體工業皇冠上的明珠，如今成為美國圍剿中國半導體產業的殺手锏。

在此之前，一位20年半導體老兵就就很驚醒地指出，荷蘭與米國這場光刻機的談判，將是國內芯片行業生與死的分水嶺。可能大家都沒意識到這次談判的嚴重性。

以美bis新規定來看，涉及finfet也就是16nm以下工藝的全部禁止對中銷售，工藝能達到7nm的浸沒式duv肯定是不能賣給中，所以asml自己的預估浸沒式duv的高低標的銷量區別不大，這也肯定不是美荷談判重點。

這次美荷談判的重點就是193nm ArF dry 光刻機，如果這類型設備也不能賣，對asml來說那差距將達到一百臺，40億美金左右的銷售額。

能賣給中，2025年該設備能賣290臺，如果被限制那就是低標只能賣給非中客戶190臺，這就是這一次美荷談判的重點。我們要知道這類型光刻機對應的工藝是65～110nm。

美國想游說盟友，禁止中國110nm以下的所有工藝，而荷蘭則希望從45nm開始限制即可，而這對國內芯片產業的影響也是至關重要的，28～110幾乎是國內芯片制造需求最大的一個工藝范圍。如果荷蘭同意斷供干式duv那對國內芯片行業來說將是毀滅性的打擊。

當然荷蘭如果被米國拿下，日本的nikon勢必也是比照辦理，而這只能靜待結果了。

1月29日消息，昨日外媒報道稱，美國拜登政府在當地時間本周五于華盛頓結束的談判中，已經成功與荷蘭和日本達成協議，將限制對華出口先進的芯片制造設備，其中就包括ASML Holding NV、Nikon Corp.和Tokyo Electron Ltd.等廠商的產品。

如果荷蘭與日本最終同意斷供193nm  ArF干式duv光刻機，那我們該怎么辦，國產光刻機現在到底如何了？

10月7號，米國BIS的制裁新規下來以后，行業至今雞飛狗跳，全面亂套，不過這也是一面照妖鏡，退潮時就能知道誰在裸泳。這幾年資本市場大炒特炒的國內半導體設備商們，檢驗你們真章的時刻到了。

在半導體老兵看來，國產光刻機的現狀如同被一塊遮羞布罩著，真實情況觸目驚心。

目前國產光刻機的相關訊息都是對米國單向透明的。我們國產光刻機里面的零配件大部分都得進口，這些零配件同樣以美日為主。

幾年前smee那臺號稱90nm的ssx600通過02專項驗收合格，然后這一大幫人歡欣鼓舞媒體大書特書，緊接著這群人立馬訂定下一個更先進的目標，甚至一次跨越兩代，直接攻關193nmArF準分子激光浸潤式光刻機，02專項風風火火大躍進攻關，形勢一片大好。

然而事實是那臺ssx600，也就是248nmKrF光刻機（工藝是在0.13um以上）風風火火的把所有utility接上，除了認證那會開機跑了起來，至始至終躺在那。

這通過驗收的所謂光刻機根本無法在量產線上跑，也從來沒有跑過！而你們現在正大躍進式的想攻克下兩代193nm  ArFi 也就是媒體所謂的28nm光刻機，這不是天大的笑話嗎？130nm都沒正兒八經的跑過產線，130nm你都做不明白，竟然妄想去搞28nm？其實193nm ArFi搞出來是能做到7nm的。

一個令人痛心的現象是，半導體設備設備真正在生產線跑，是全世界無數頂尖工程師，數十年不斷優化來的，而我們一臺設備驗收了，就再也沒人管。

除了光刻機外，etch蝕刻設備、沉積與光刻并列門檻最高、金額最高、難度最大的的三個種類，一般來說蝕刻設備都是fab投資最大的，工藝在5nm以下的fab，因為都是使用euv，光刻才超越了蝕刻。

而且蝕刻在memory占有越來越重要的角色，尤其是在nand，越高層數就需要寬深比越高的蝕刻技術，這完全得仰賴設備廠家。目前做到最好的是lam能在100:1以上，amat也有同性能產品，國內的中微號稱今年能有40:：1的高寬深比的設備，但這設備，可以肯定出來是能出來，但沒法用。

某廠etch設備 list

從上圖我們可以看出，dry etch 分為icp、ccp，這兩小類，每類又分了十多種設備，咱們可以從圖中看到中微在某fab的ccp拿下了1/3，但在icp則全軍覆沒。

ccp只是刻掩膜跟metal，與icp那些刻在si上的完全是兩碼事，也就是說即便中微什么成功打入臺積電7nm的fab也只是做最簡單的那一部分。

而我們從圖中可以看出，dry etch門檻最高的各種icp，中微一臺也沒有，幾乎被lam給壟斷，amat跟tel這世界etch的老二跟老三也只有稀稀拉拉幾臺，而中微連他的強項ccp也只是占1/3，而且還都是ccp里面最容易的那部分。

半導體老兵以此推算中微打通drt etch全部環節，能生產出合格良率的28nm芯片，最快最快是6年。

試問2030年全世界都生產14nm了，我們還在生產28nm，要這玩意有多大作用？真實的情況跟大家想的或者主管行業那幫人說的根本不一樣。

3

中國半導體產業該怎么辦？

現在如此危機之時，中國半導體行業不能再這樣下去，首先必須要把問題全部掀開來，盡管滿目瘡痍，瘡疤都沒怕疼而沒勇氣去揭，那如何治療？

從14年大基金成立以來，我們一直高喊的國產，取代外企，解決卡脖子問題，快十年了，真正解決的卡脖子問題有幾個？行業里整天好消息滿天飛，飛了快十年了，市場一片期待，所有人信心滿滿，連小將們都高喊你米國越制裁越好，我們只會更快造出來，我們不需要任何協助，自己的全國產設備很快就能橫空出世。

而今這些設備在哪呢？真實的情況是，此時此刻，我們芯片生產線的國產化率只有可憐的15%左右，今時今日。

想在五六年完全補齊剩下的85%，從任何角度來看都是不切實際，違反科學及常識的。

現在我們的芯片產業已經退無可退，當務之急，就是在量產的fab里，所有設備back  to back的調適，真正調適出一條完整實實在在的《量產線》，不是以前那種實驗線，更不是一堆設備商各自為政，上下道工藝根本接不上，各說各話的吹牛皮。

對于目前到中國半導體行業，半導體老兵以為，之前的積極進取有作用，但韜光養晦亦有大用，任何事并不是只有進攻，啥時候進攻啥時候防守，攻防有序才是正道。